| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
126 052
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
81 312
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.52
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
659 590
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
|
19 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
37 063
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
DIOTEC
|
8 547
|
1.89
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
5 142
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
YJ
|
72 162
|
1.23
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.03
|
|
|
|
|
BC857A-7 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 760
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
29 598
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
|
8
|
7.56
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
ONS
|
1 746
|
2.90
|
|
|
|
|
BC857ALT1G |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BC857AT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857AT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857AT |
|
|
NXP
|
695
|
|
|
|
|
|
BC857AT |
|
|
PHILIPS
|
724
|
|
|
|
|
|
BC857B-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BC857B-7 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
BC857B/E9 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC857BF |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857BF |
|
|
PHILIPS
|
54 518
|
|
|
|
|
|
BC857BLT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC857BLT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 287
|
|
|
|
|
|
BC857BLT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
1.52
|
|
|
|
|
BC857BLT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ARK
|
20
|
1.02
|
|
|
|
|
BC857BLT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC857BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC857BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC857BTT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC857BTT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
31 448
|
|
|
|
|
|
BC857BWT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
