| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
|
|
480.00
|
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IXGR40N60C2D1 |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IXGR40N60C2D1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
|
|
1 109.60
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG10N120BND |
|
|
ONS
|
32
|
462.24
|
|
|
|
|
STGB10NB40LZ |
|
Igbt-транзистор на 410 в, 20 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60S |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 10 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 14 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB18N40LZ |
|
Igbt-транзистор на 390 в, 30 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB19NC60H |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB19NC60K |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB19NC60W |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB20NB37LZ |
|
Igbt-транзистор на 400 в, 20 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB20NB37LZ |
|
Igbt-транзистор на 400 в, 20 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB20NB41LZ |
|
Igbt-транзистор на 410 в, 20 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB35N35LZ |
|
Igbt-транзистор на 345 в, 30 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB3NB60SD |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 3 а семейства power mesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60H |
|
N-канальный, высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HD-1 |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HD-1 |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HD-1 |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 7 а
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB7NC60HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 14 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB7NC60HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 14 а семейства powermesh™
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB8NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 8 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB8NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGBL6NC60D |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGBL6NC60DI |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGBL6NC60DI |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
|
|
|
|
|
|
|
STGBL6NC60DI |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60H |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 10 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60K |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™ с защитой от короткого ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60S |
|
Скоростной igbt-транзистор на 600 в, 10 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60SD |
|
Быстрый igbt-транзистор на 600 в, 10 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
