![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 24A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Power - Max | 200W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PH50KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1-505,(XLR-MC-104) , РАЗЪЕМ XLR 3P ШТ МЕТАЛЛ НА КАБ. С ХОМУТОМ (60ММ | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|||||
IDP15E60 | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
IDP15E60 |
![]() |
174.24 | ||||||
IDP15E60 | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 47 | 653.40 | |
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
![]() |
491.08 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC40UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 453.60 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | ТАИЛАНД |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50F |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | 1 |
![]() |
![]() |
|
С2-23-0,125-120 КОМ-5% | 33 | 3.78 |
|
Корзина
|