| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
92
|
251.41
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
442
|
93.36
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
143.89
|
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60HT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60HT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
148
|
163.28
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
1
|
181.44
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGF14NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STGF19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
212.43
|
|
|
|
|
STGF19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGF19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGF19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STGF19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
|
|
|
|
|
|
STGF19NC60WD |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
