|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IXGH60N60C2 |
|
600V 75A 300W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXGH60N60C2 |
|
600V 75A 300W
|
|
|
|
|
|
|
IXGT60N60C2 |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXGX120N60B |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
|
|
1 838.80
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
FAIRCHILD
|
1
|
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SGL160N60UFDTU |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
24
|
1 263.02
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
|
|
546.92
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB60ST4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
92
|
248.36
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
442
|
92.20
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NC60KT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
124
|
199.58
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60HT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGD10NC60HT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZ-1 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGD5NB120SZT4 |
|
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
|
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGF10NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 10 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|