IRG4PH50U


Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт

Купить IRG4PH50U по цене 339.44 руб.  (без НДС 20%)
IRG4PH50U IGBT транзистор с высокой скоростью...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRG4PH50U цена радиодетали 339.44 

IGBT транзистор с высокой скоростью переключения.
Версия для печати

Технические характеристики IRG4PH50U

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 24A
Current - Collector (Ic) (Max)45A
Power - Max200W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PH50UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PH50U datasheet
229.49Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц     12 173.88 
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц   UNKNOWN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц   NO TRADEMARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SD1710 Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц   ISCSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz     Заказ радиодеталей 377.52 
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный     Заказ радиодеталей 660.00 
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   UNKNOWN Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   IR/VISHAY 41 1 125.45 
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   ST MICROELECTRONICS 2 745 17.17 
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   SGS Заказ радиодеталей цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A     Заказ радиодеталей 32.92 
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   ST MICROELECTRONICS SEMI 16 цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
L7818CV Стабилизатор напряжения +18V 1A   4-7 НЕДЕЛЬ 128 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 266 34.36 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 5 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 2 291 14.07 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   4-7 НЕДЕЛЬ 552 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход