| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
FF200R12KT4 |
|
|
|
|
27 040.00
|
|
|
|
|
FF200R12KT4 |
|
|
ВЕНГРИЯ
|
|
|
|
|
|
|
FF450R12ME4 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FF450R12ME4 |
|
|
|
|
37 360.00
|
|
|
|
|
FP50R12KE3 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
FP50R12KE3 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FP50R12KE3 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
5
|
51 082.75
|
|
|
|
|
FP50R12KE3 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
EUPEC
|
|
|
|
|
|
|
FZ400R12KE3 |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FZ400R12KE3 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
43 513.68
|
|
|
|
|
HCPL-4200300 |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
26
|
797.58
|
|
|
|
|
HCPL-4200300 |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
|
|
575.60
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
HD1750FX |
|
Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|
|
|
|
ICE1PCS02 |
|
PFC
|
INFINEON
|
146
|
72.24
|
|
|
|
|
ICE1PCS02 |
|
PFC
|
|
|
|
|
|
|
|
ICE1PCS02 |
|
PFC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE1PCS02 |
|
PFC
|
|
|
|
|
|
|
|
ICE1PCS02 |
|
PFC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
329
|
|
|
|
|
|
ICE2A180 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/1A, Fosc=100kHz, Pout=17W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A180 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/1A, Fosc=100kHz, Pout=17W
|
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A180 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/1A, Fosc=100kHz, Pout=17W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A180 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/1A, Fosc=100kHz, Pout=17W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
INFINEON
|
91
|
25.92
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
|
|
350.24
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2AS01 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
100
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
|
|
273.80
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
|
|
273.80
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B365 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
|
|
408.00
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ICE2BS01 |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fosc=67kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
784
|
|
|
