Версия для печати
Технические характеристики ICE2BS01

Корпус	P-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение входное	8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон	62 ~ 72kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	FAIR
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w		1	249.48
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	ONS-FAIR
		DM0365R		SMPS сх.упp, MOSFET 650V/Idp=2.15A,66kHz,Pout 30w	4-7 НЕДЕЛЬ	784
		MBRF20100CTG			ON SEMICONDUCTOR
		MBRF20100CTG
		MBRF20100CTG			ONS	49	210.00
		MBRF20100CTG			ON SEMICONDUCTOR
		MBRF20100CTG			ON SEMI
		MBRF20100CTG			ONSEMICONDUCTOR
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
		SPA08N80C3			INFINEON
		SPA08N80C3					656.00
		SPA08N80C3			Infineon Technologies

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"