Версия для печати
Технические характеристики ICE2AS01

Корпус	PG-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение входное	8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон	93 ~ 107kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	CoolSET®F2
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
		FQPF8N60C		MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
		ICE1QS01			INFINEON	11	108.90
		ICE1QS01				1	98.28
		ICE1QS01			Infineon Technologies
		ICE1QS01			INFINEON	169
		ICE1QS01			INFINEON TECH
		ICE1QS01			1
		ICE1QS01			4-7 НЕДЕЛЬ	66
		LM301AD			ST MICROELECTRONICS
		LM301AD			ON SEMICONDUCTOR
		LM301AD
		LM301AD			ON SEMICONDUCTOR	352
		LM301AD			ST MICROELECTRONICS SEMI	21 686
		LM301AD			STMicroelectronics
		LM301AD			4-7 НЕДЕЛЬ	429
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS	1 053	320.75
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB			440.00
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	СИНГАПУР
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST1
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRO
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	STMICROELECTR
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	587
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		924	73.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	2 345	80.73
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 150	84.00
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"