Версия для печати
Технические характеристики CRCW2010330RJNEF
Мощность (Ватт) | 0.75W, 3/4W |
Сопротивление (Ом) | 330 |
Серия | CRCW |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Composition | Thick Film |
Температурный коэфициент | ±200ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Size / Dimension | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Высота | 0.028" (0.70mm) |
Number of Terminations | 2 |
Корпус (размер) | 2010 (5025 Metric) |
Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC0805KKX5R8BB475 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX5R8BB475 |
|
|
YAGEO
|
51 261
|
1.46
|
|
|
|
CC0805KKX5R8BB475 |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
58 540
|
7.10
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MUN5311DW1T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUN5311DW1T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
28 330
|
|
|
|
|
MUN5311DW1T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUN5311DW1T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
|
|
49.96
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-07200KL |
|
|
YAGEO
|
474 083
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
RC0603JR-07200KL |
|
|
YAGEO
|
9 274
|
|
|
|
|
RC0603JR-07200KL |
|
|
|
|
|
|