RC0603JR-07200KL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RC0603JR-07200KL (YAGEO)	474 163	0.60 >1000 шт. 0.12
RC0603JR-07200KL (YAGEO.)	9 274	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики RC0603JR-07200KL

Сопротивление (Ом)	200K
Серия	RC0603
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Мощность (Ватт)	0.1W, 1/10W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Высота	0.022" (0.55mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Tolerance	±5%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC0805KKX5R8BB475		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805KKX5R8BB475		YAGEO	54 047	1.53
CC0805KKX5R8BB475
CRCW2010330RJNEF		VISHAY
CRCW2010330RJNEF		Vishay/Dale
CRCW2010330RJNEF
CRCW2010330RJNEF		VIS
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	59 484	7.21
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
MUN5311DW1T1G		ON SEMICONDUCTOR
MUN5311DW1T1G		ON SEMICONDUCTOR	28 330
MUN5311DW1T1G		ONS
MUN5311DW1T1G
NCP1406SNT1G		ONS
NCP1406SNT1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1406SNT1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1406SNT1G				49.96
NCP1406SNT1G		ONSEMICONDUCTOR