|
Сопротивление (Ом) | 200K |
Серия | RC0603 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Мощность (Ватт) | 0.1W, 1/10W |
Composition | Thick Film |
Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Size / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Высота | 0.022" (0.55mm) |
Number of Terminations | 2 |
Корпус (размер) | 0603 (1608 Metric) |
Tolerance | ±5% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CC0805KKX5R8BB475 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
CC0805KKX5R8BB475 | YAGEO | 54 047 | 1.53 | |||||
CC0805KKX5R8BB475 | ||||||||
CRCW2010330RJNEF | VISHAY | |||||||
CRCW2010330RJNEF | Vishay/Dale | |||||||
CRCW2010330RJNEF | ||||||||
CRCW2010330RJNEF | VIS | |||||||
LQH32CN100K23L | Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | ||||||
LQH32CN100K23L | Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA | ||||||
LQH32CN100K23L | Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | 25.88 | ||||||
LQH32CN100K23L | Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 59 484 | 7.21 | ||||
LQH32CN100K23L | Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America | ||||||
MUN5311DW1T1G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MUN5311DW1T1G | ON SEMICONDUCTOR | 28 330 | ||||||
MUN5311DW1T1G | ONS | |||||||
MUN5311DW1T1G | ||||||||
NCP1406SNT1G | ONS | |||||||
NCP1406SNT1G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
NCP1406SNT1G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
NCP1406SNT1G | 49.96 | |||||||
NCP1406SNT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|