MUN5311DW1T1G


Купить MUN5311DW1T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MUN5311DW1T1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MUN5311DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.) 28 330 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUN5311DW1T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 33 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE 3 376 1.41 
    CC0805KKX5R8BB475     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CC0805KKX5R8BB475     YAGEO 53 985 1.51 
    CC0805KKX5R8BB475       Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7319 N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER 80 86.70 
IRF7319 N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...     1 194.40 
IRF7319 N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7319 N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF7319 N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, ...   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN100K23L Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN100K23L Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN100K23L Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)     Заказ радиодеталей 25.88 
    LQH32CN100K23L Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)   MUR 59 484 7.18 
    LQH32CN100K23L Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1406SNT1G     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1406SNT1G     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1406SNT1G     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1406SNT1G       Заказ радиодеталей 49.96 
    NCP1406SNT1G     ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход