STN3NF06L
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Power - Max | 3.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STN3NF06L (MOSFET) N-channel 60 V, 0.07 ?, 4 A, SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | DC COMPONENTS | 30 812 | 3.08 | |
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | NXP | 87 | 9.62 | |
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | PHILIPS | 7 248 |
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | KINGTRONIC |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | KINGTRONICS | 6 256 |
1.28 >100 шт. 0.64 |
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | KEEN SIDE | 5 081 |
1.04 >100 шт. 0.52 |
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | 7820 |
|
|
|
| BZX84C18LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 304 | 1.86 | |||||
| BZX84C18LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 255 |
|
|||||
| BZX84C18LT1G | ONS | 216 | 4.24 | |||||
| BZX84C18LT1G |
|
|
||||||
| BZX84C18LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| RHRP1560 | FAIR |
|
|
|||||
| RHRP1560 |
|
600.00 | ||||||
| RHRP1560 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| RHRP1560 | FAIRCHILD | 92 |
|
|||||
| RHRP1560 | FSC |
|
|
|||||
| RHRP1560 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RHRP1560 | ONS |
|
|
|||||
| RHRP1560 | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| RHRP1560 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG |
|
100.00 | ||||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ONS |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| SG3525ANG | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 587 |
|
|||||
| SG3525ANG | ST MICROELECTRONICS |
|
|
