STN3PF06

Версия для печати

Технические характеристики STN3PF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN3PF06 (MOSFET)

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06 datasheet
251.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	DC COMPONENTS	160 680	2.16
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	NXP
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS	7 732
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONIC
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONICS	8 416	1.98 >100 шт. 0.99
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONS	8 000	14.12
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C		3 200	12.00
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONSEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	0.00
MC74HCU04AD		ON SEMICONDUCTOR
MC74HCU04AD		MOTOROLA
MC74HCU04AD				40.00
MC74HCU04AD		MOTOROLA	270
MC74HCU04AD		ON SEMICONDUCTOR	17 824
RGE1100		RAYCHEM
RGE1100
RGE1100		RAYCHEM
RGE1100		TE Connectivity
RGE1100
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	ST MICROELECTRONICS
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P			192.00
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	STMicroelectronics
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	ST MICROELECTRO