STN3PF06
Транзистор
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STN3PF06 (MOSFET) P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| IRF7319TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7319TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7319TRPBF | INFINEON | 1 280 | 216.48 | |||||
| IRF7319TRPBF | 3 087 | 55.21 | ||||||
| IRF7319TRPBF | TECH PUBLIC |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ONS |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G |
|
|
||||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
 |
ВП1-2 4А | 1 208 | 26.06 | |||||
|
|
ВП1-2 4А | РАДИОДЕТАЛЬ | 8 | 28.48 | ||||
 |
 |
ВП1-2 1А |
|
Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ... | 4 080 | 26.35 | ||
|
|
|
ВП1-2 1А |
|
Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ... | РАДИОДЕТАЛЬ | 2 992 | 28.48 |
