STN3PF06

Версия для печати

Технические характеристики STN3PF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN3PF06 (MOSFET)

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06 datasheet
251.1 Кб

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
AOD409	Alpha & Omega Semiconductor Inc
AOD409		360	16.42
AOD409	A&O
AOD409		360	16.42
AOD409	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD409	YOUTAI	2 068	29.35
BCX54,115	NXP Semiconductors
BCX54,115	NXP
BCX54,115	NEX
BCX54,115
BSP171PL6327	INFINEON
FDN5618P	FAIR
FDN5618P	FSC
FDN5618P	FAIRCHILD
FDN5618P	FAIRCHILD	24
FDN5618P	Fairchild Semiconductor
FDN5618P		6 560	6.93
FDN5618P	МАЛАЙЗИЯ
FDN5618P	ONS
FDN5618P	ONS-FAIR
FDN5618P	ON SEMICONDUCTOR
ВП1-2-2А		5 048	9.30
ВП1-2-2А	ПУТИВЛЬ	6 304	7.44
ВП1-2-2А	РАДИОДЕТАЛЬ
ВП1-2-2А	ЗУБОВА ПОЛЯНА	688	40.92
ВП1-2-2А	ЗУЮОВА ПОЛЯНА
ВП1-2-2А	1410
ВП1-2-2А	4209
ВП1-2-2А	790
ВП1-2-2А	8
ВП1-2-2А	9