| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
28
|
22.73
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
|
|
42.56
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
|
760
|
38.82
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
1 709
|
8.27
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
4 584
|
1.86
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ5V1T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ5V1T1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ5V1T1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ5V1T1G |
|
|
ONS
|
81
|
4.02
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
|
|
|
|