| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
64 863
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DC COMPONENTS
|
1 552
|
2.83
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
24
|
1.70
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DIOTEC
|
897
|
3.28
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 230
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
18 568
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
HOTTECH
|
35 514
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YJ
|
552 461
|
1.03
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
SUNTAN
|
432
|
1.55
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KEEN SIDE
|
14 480
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
30
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
22400
|
|
|
|
|
|
|
CD74AC323M |
|
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
CD74AC323M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD74AC323M |
|
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
CD74AC323M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SDR0403-470KL |
|
Индуктивность 47мкГн SMD 4,5x3,2mm
|
|
|
|
|
|
|
SDR0403-470KL |
|
Индуктивность 47мкГн SMD 4,5x3,2mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 876
|
374.18
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
|
1 628
|
371.03
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STM32F405RGT6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
259
|
|
|
|
|
|
М2000НМ-39К12Х8Х3 |
|
|
|
|
|
|