3И306Ж
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2Т306Г |
|
126.72 | |||||
| 3И306Г | 1 659 | 31.23 | ||||||
| 3И306Г | СТАРТ | 875 | 26.85 | |||||
| 3И306Г | 1 659 | 31.23 | ||||||
| 3И306Г | NO TRADEMARK |
|
|
|||||
| 3И306Г | 218 |
|
|
|||||
| 3И306Г | 78 |
|
|
|||||
| 3И306Г | 93 |
|
|
|||||
| 3И306К | 898 | 45.29 | ||||||
| 3И306К | СТАРТ | 16 | 17.90 | |||||
| 3И306К | 70 |
|
|
|||||
 |
HCF4041UBEY | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
HCF4041UBEY | SGS |
|
|
||||
|
|
HCF4041UBEY |
|
88.44 | |||||
|
|
HCF4041UBEY | SGS THOMSON |
|
|
||||
|
|
HCF4041UBEY | STMICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
HCF4041UBEY | 4-7 НЕДЕЛЬ | 304 |
|
||||
 |
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | 1 | 186.00 | |||
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
