3И306К

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
3И306К	898	45.29
3И306К (СТАРТ)	56	21.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2Т326Б			172	110.09
2Т326Б		АЛЕКСАНДРОВ	11	212.00
2Т326Б		ЭЛЕКС	2	194.00
2Т326Б		РИГА
2Т326Б		RUS
2Т326Б		АЛЕКСАНДР
2Т326Б		АЛЕКСАНДРОВСК
2Т326Б		ДАЛЕКС	52	247.97
3И306Ж			1 639	35.14
3И306Ж		СТАРТ	1 900	16.96
3И306Ж		10
3И306Ж		207
3И306Ж		357
3И306Ж		4
3И306Ж		704
3И306Ж		716
RC0805JR-0751R	Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 51	YAGEO
RC0805JR-0751R	Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 51	YAGEO
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRONICS	1 234	160.02
STM32F100C8T6B			688	209.89
STM32F100C8T6B		STMicroelectronics
STM32F100C8T6B		МАЛАЙЗИЯ
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F100C8T6B		ST MICROELECTRO
STM32F100C8T6B		STMICROELECTR
STM32F100C8T6B		4-7 НЕДЕЛЬ	516
П210А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный		76	239.20
П210А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
П210А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	КВАЗАР
П210А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ФОТОН