3И306К
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2Д102Б | 435 | 49.14 | |||||
|
|
2Д102Б | ХЕРСОН |
|
|
||||
|
|
2Д102Б | ДНЕПР | 1 117 | 42.40 | ||||
|
|
2Д102Б | ОПТРОН |
|
|
||||
|
|
2Д102Б | RUS |
|
|
||||
|
|
2Д102Б | 157 |
|
|
||||
|
|
2Д102Б | 490 |
|
|
||||
| 3И306Ж | 1 639 | 35.14 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 900 | 16.96 | |||||
| 3И306Ж | 10 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 207 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 357 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 4 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 704 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 716 |
|
|
|||||
| FDG6332C |
|
136.00 | ||||||
| FDG6332C | FAIR |
|
|
|||||
| FDG6332C | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDG6332C | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDG6332C | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDG6332C | FSC |
|
|
|||||
| FDG6332C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| FDG6332C | ONS |
|
|
|||||
 |
КТ3102ДМ |
|
4.72 | |||||
|
|
КТ3102ДМ | КРЕМНИЙ | 532 | 11.71 | ||||
|
|
КТ3102ДМ | СВЕТЛАНА |
|
|
||||
|
|
КТ3102ДМ | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ3102ДМ | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ3102ДМ | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ3102ДМ | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ3102ДМ | ЭЛЕКС | 44 | 5.66 | ||||
|
|
КТ3102ДМ | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
 |
 |
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | 76 | 239.20 | ||
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | КВАЗАР |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ФОТОН |
|
|
