| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HCPL3120-000E |
|
Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL3120-000E |
|
Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V
|
|
|
|
|
|
|
HCPL3120-000E |
|
Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HCPL3120-000E |
|
Оптрон 1xCh, 2,5A, 3,75kV, CMRmin=15kV/чs, Vcm=1500V
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
67.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
8
|
74.00
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 481
|
12.72
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
10 898
|
8.40
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
129 720
|
7.55
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
13 817
|
5.14
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
448
|
5.17
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
110
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
1605
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
КИТАЙ
|
1
|
4.50
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
970
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
|
1 000
|
13.02
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CD |
|
Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
393
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
4 850
|
7.12
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
12 903
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
7 976
|
3.83
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
33 167
|
1.07
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
77
|
11.34
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
32 000
|
2.07
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
24 000
|
2.22
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
1
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KEEN SIDE
|
9 240
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
12
|
1.49
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ASEMI
|
52
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|