BSS138-7-F
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 15/May/2008 Wire Change 16/Sept/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADM2687EBRIZ-RL7 | ANALOG DEVICES | 756 | 692.24 | |||||
| ADM2687EBRIZ-RL7 | 760 | 685.67 | ||||||
| ADM2687EBRIZ-RL7 | ANALOG |
|
|
|||||
| ADM2687EBRIZ-RL7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 462 |
|
|||||
| ADM2687EBRIZ-RL7 | ADI |
|
|
|||||
| GRM32QR73A103KW01L | MURATA | 80 | 9.34 | |||||
| GRM32QR73A103KW01L | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| GRM32QR73A103KW01L | MUR | 99 565 | 4.89 | |||||
| GRM32QR73A103KW01L |
|
|
||||||
| HC49S-25MHZ | SJK |
|
|
|||||
| HC49S-25MHZ | KDS |
|
|
|||||
| HC49S-25MHZ | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
|||||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM | MICRON |
|
|
|||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM | MICRON TECHNOLOGY,INC |
|
|
|||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM | Micron Technology Inc |
|
|
|||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM | MICRON TECHNOLOGY |
|
|
|||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM | ALLIANCE |
|
|
|||
| MT48LC32M16A2P-75:C |
|
Микросхема, Память SDRAM |
|
|
||||
| RY611005 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RY611005 | TYCO |
|
|
|||||
| RY611005 | TE |
|
|
|||||
| RY611005 |
|
|
