| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
|
432
|
186.58
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
FAIR/ONS
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SMD |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
|
332
|
215.64
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
ONS
|
48
|
527.10
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
172
|
302.94
|
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
|
|
ONSEMI
|
2
|
417.55
|
|
|
|
|
FKN50SJR-52-10R |
|
|
Yageo
|
|
|
|
|
|
|
FKN50SJR-52-10R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
36
|
230.58
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
977
|
76.59
|
|
|
|
|
SGB10N60A |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SGB10N60A |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SGB10N60A |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
