|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
3 980
|
27.75
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
143.64
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
2
|
378.00
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
276
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
65
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
355
|
27.10
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
2 774
|
16.43
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
|
|
66.60
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
480
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
35.91
|
|
|
|
NE556N |
|
|
|
|
33.68
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS
|
848
|
29.26
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
422
|
|
|