| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
1 796
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
595 818
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN390 |
|
Керамический конденсатор 39 пФ 50 В
|
YAGEO
|
295 539
|
0.85
>1000 шт. 0.17
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN390 |
|
Керамический конденсатор 39 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 524
|
95.40
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
746
|
|
|
|
|
LP2950ACDT-3.3RG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
1915
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 240
|
11.37
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
|
|
34.00
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
---
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|