Регулятор с низким падением напряжения (LDO). На вход линейного подается не стабилизированное напряжение до 30V, на выходе снимается стабилизированное напряжение составляющее 3.3V. Выходной ток – 0.1A. Падение напряжения – VDO 380mV. Максимальное напряжение выключения 0.08V при 100uA. Устройство обладает нестабильностью в выходной нагрузки до 0.1%, а также нестабильностью выходного напряжения или тока до 0.1%. В регуляторе имеется встроенная схема тепловой и токовой защиты. |
Корпус | TO-92-3 |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип монтажа | Выводной |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Число регуляторов | 1 |
Ток выходной | 100mA |
Напряжение - падение (Typ.) | 0.38V @ 100mA |
Напряжение входное | Up to 30V |
Напряжение выходное | 3.3V |
Топология регулятора | Positive Fixed |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
LP2950 (Стабилизаторы напряжения с LDO (малым падением напряжения вход/выход)) Micropower Voltage Regulators Также в этом файле: LP2950ACZ-3.3
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BA4116FV-E2 | ROHM | |||||||
BA4116FV-E2 | ||||||||
BA4116FV-E2 | ROHM | |||||||
BA4116FV-E2 | Rohm Semiconductor | |||||||
IRFP064N | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 665 | 116.60 | ||||
IRFP064N | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 288 | 98.78 | |||||
IRFP064N | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | ФИЛИППИНЫ | ||||||
IRFP064N | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON | ||||||
IRFP064N | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 1 | ||||||
JF0925S1H | Вентилятор 12В, 92х92х25мм | 469.20 | ||||||
JF0925S1H | Вентилятор 12В, 92х92х25мм | JAMICON | 149 | 305.64 | ||||
JF0925S1H | Вентилятор 12В, 92х92х25мм | JAM | ||||||
LMX2316TM | Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ... | NATIONAL SEMICONDUCTOR | ||||||
LMX2316TM | Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ... | 214.80 | ||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|