|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
FUJI ELECTRIC
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
|
|
60.68
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
---
|
|
|
|
|
|
2SK2645 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9A, 50W)
|
КИТАЙ
|
1
|
174.64
|
|
|
|
FD312S |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
FD312S |
|
|
|
|
112.00
|
|
|
|
FD312S |
|
|
SK
|
|
|
|
|
|
FD312S |
|
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF6N60C |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 600V, 5.5A, 40W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
|
|
622.44
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
INFINEON
|
466
|
144.62
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
167
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 412
|
32.09
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
2
|
118.44
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
112
|
|
|