FQPF6N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF6N60C	1	226.80

Версия для печати

Технические характеристики FQPF6N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF6N60C (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF6N60C datasheet
931.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
100МКФ 450 (22X35)
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
JF1238B2SR-R		JAMICON	256	1 136.52
JF1238B2SR-R
JF1238B2SR-R		KAIMEI CORP	106	1 715.83
TNY266G		PWR
TNY266G		PI
TNY266G				113.20
TNY266G		Power Integrations
TNY266G		4-7 НЕДЕЛЬ	128
К555ИД18	Декодер двоично-десятичного кода в семисегментный			128.00
К555ИД18	Декодер двоично-десятичного кода в семисегментный	МИКРОН
К555ИД18	Декодер двоично-десятичного кода в семисегментный	RUS
К555ИД18	Декодер двоично-десятичного кода в семисегментный	АЗОН