FQPF6N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF6N60C	1	226.80

Версия для печати

Технические характеристики FQPF6N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF6N60C (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF6N60C datasheet
931.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
VS-150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
VS-150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			492.40
VS-150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY/IR
2SD2092		KEC
2SD2092		TOSHIBA
2SD2092			10	83.16
2SD2092		МАЛАЙЗИЯ
DM0565R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W	FAIR
DM0565R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W			174.00
DM0565R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W	4-7 НЕДЕЛЬ	346
SB20H150CT1E345		VISHAY
SB20H150CT1E345		VISHAY
VR05D-511K		HITANO
VR05D-511K				5.08