Версия для печати
Технические характеристики SN74LS00N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	74LS
Логический тип	NAND Gate
Число входов	2
Число каналов	4
Ток выходной макс., мин.	400µA, 16mA
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	14-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 158	34.02
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	392	86.79
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 676	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	960	10.11
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	14 311	7.78
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	22 246	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		20 800	1.26
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	400	4.91
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 034	2.46
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	27 200	1.45
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	12 000	1.68
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 504	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	18 166	1.90
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	15 204	13.43
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		6 931	9.97
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTR
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS	7 486	25.19
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	755
		SN74LS74AN					92.00
		SN74LS74AN			MOTOROLA
		SN74LS74AN			Texas Instruments	168	47.53
		SN74LS74AN			TEXAS INSTR
		SN74LS74AN			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LS74AN			TEXAS	239	36.59
		SN74LS74AN			NO TRADEMARK
		SN74LS74AN			4-7 НЕДЕЛЬ	115
		К10-17 1000ПФ X7R 50В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"