| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
271
|
267.92
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
|
|
710.40
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
45
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
30
|
25.20
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
52.40
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
409
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 998
|
10.44
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
|
1 270
|
10.80
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
81
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
12.28
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
725
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
LITTELFUSE
|
4 148
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
PGB1010603MR |
|
|
LITTLEFUSE
|
1
|
12.40
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
BOURNS
|
160
|
37.51
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
|
|
96.00
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
ВОURNS
|
208
|
40.29
|
|