MC34119G-S08

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC34119G-S08 (4-7 НЕДЕЛЬ)	166	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T		Abracon Corporation
ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T		ABRACON
ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T
ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T		ABRACON
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	NXP
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)		4	13.64
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMicroelectronics
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRO
BAT41	Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMICROELECTR
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 431
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON	17 748	23.76
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A		7 576	9.22
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	HOTTECH
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TR
IRLML6401TRPBF	Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TRR	96	4.13
LD1117S50TR		ST MICROELECTRONICS	744	14.84
LD1117S50TR			4	52.92
LD1117S50TR		ST MICROELECTRONICS SEMI
LD1117S50TR		STMicroelectronics
LD1117S50TR		4-7 НЕДЕЛЬ	435
К174ХА10				54.72
К174ХА10		ГРАВИТОН