| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
|
58 016
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
NXP
|
2 000
|
1.27
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
HOTTECH
|
18 119
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
SEMTECH
|
1 900
|
1.27
|
|
|
|
BZV55C8V2 |
|
Стабилитрон 700нA, 8.7В, SMD монтаж
|
XXW
|
3 560
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
250.56
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.96
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
630 562
|
1.67
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
22 552
|
2.28
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
48 490
|
2.82
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
275
|
2.76
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
7 208
|
1.86
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
|
|
15.68
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
24
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM311D |
|
Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
700
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|