LM3488MM
Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, I=1A(peak), Fosc=100 kHz-1 MHz, -40 to +125C)
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Isolated | Нет |
| Cuk | Нет |
| Divider | Нет |
| Doubler | Нет |
| Inverting | Нет |
| Boost | Да |
| Flyback | Да |
| Buck | Нет |
| Напряжение питания | 2.97 V ~ 40 V |
| Duty Cycle | 100% |
| Частота -макс. | 1MHz |
| Число выходов | 1 |
| PWM Type | Current Mode |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
LM3488 (Импульсные стабилизаторы напряжения) High Efficiency Low-Side N-Channel Controller for Switching Regulators Также в этом файле: LM3488MM, LM3488MMX
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | BOURNS |
|
|
|||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный |
|
101.04 | ||||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| 3314G-1-102 |
|
Резистор подстроечный однооборотный | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| FMMT459TA | ZTX |
|
|
|||||
| FMMT459TA | ZETEX |
|
|
|||||
| FMMT459TA | ZETEX |
|
|
|||||
| FMMT459TA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| FMMT459TA | 2 384 | 35.15 | ||||||
| FMMT459TA | DIODES |
|
|
|||||
 |
 |
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
|
250.56 | ||
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFB260N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | UMW-YOUTAI |
|
|
|
| PH 07M 2.0MM | AUK |
|
|
|||||
| PH 07M 2.0MM |
|
|
||||||
| PH 07M 2.0MM | CONNFLY |
|
|
|||||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС |
|
109.20 | ||||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ONS |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMIC |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| TCA0372DP1G |
|
ИМС | 4-7 НЕДЕЛЬ | 260 |
|
