Версия для печати
Технические характеристики IRFB260N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 34A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	56A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4220pF @ 25V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFB260N (Дискретные сигналы) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.040ohm, Id=56A) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFB260N datasheet 92.61Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	NSC
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...			189.08
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR	24
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	TEXAS
		LM3488MM		Контроллер нижнего N-канального ключа (ограничение тока, термозащита, Vs=2.97-40V, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	631
		PS2501L-1-E3			NEC
		PS2501L-1-E3			RENESAS
		PS2501L-1-E3			NEC ELECTRONICS
		PS2501L-1-E3			NEC ELECTRONICS
		PS2501L-1-E3			CEL
		TCA0372DP1G		ИМС	ON SEMICONDUCTOR
		TCA0372DP1G		ИМС			109.20
		TCA0372DP1G		ИМС	ONS
		TCA0372DP1G		ИМС	ON SEMIC
		TCA0372DP1G		ИМС	ON SEMICONDUCTO
		TCA0372DP1G		ИМС	ONSEMICONDUCTOR
		TCA0372DP1G		ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	260
		ULN2003ADR2G		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		ULN2003ADR2G		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		1 480	11.10
		ULN2003ADR2G		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	ONS	1 200	21.70
		ULN2003ADR2G		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	0.00
		ULN2003ADR2G		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	794
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц		84	90.16
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СТАРТ
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	RUS
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СЗТП	52	86.94
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	П/П 2
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	РОССИЯ
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД202Р		Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СЗТП САРАНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"