![]() |
|
Производитель | ON Semiconductor Corporation |
Количество в упаковке | 50 шт. |
Вес | 2.170 г |
Тип стабилизатора | LDO |
Тип выхода | Fixed |
Входное напряжение | 5.16…40 В |
Выходное напряжение | 5В @ 0.1А |
Точность | 2 % |
Падение напряжения (тип.) | 160 мВ |
Рабочая температура | -40...125 °C |
100 mA, 5 V, Low Dropout Voltage Regulator wi |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1000МКФ 50В 105° CD263 (16Х25) КОНДЕНСАТОР ELZET ECRH1H102MA00I25C |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
BTS621L1 |
![]() |
Транзистор полевой | INFINEON |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BTS621L1 |
![]() |
Транзистор полевой |
![]() |
518.36 | |||
![]() |
BTS621L1 |
![]() |
Транзистор полевой | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BTS621L1 |
![]() |
Транзистор полевой | SIEMENS |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BTS621L1 |
![]() |
Транзистор полевой | 4-7 НЕДЕЛЬ | 296 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | 3 | 703.00 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PC50UD |
![]() |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY |
![]() |
![]() |
|
НКИ 1.5-4 | 12 240 | 3.02 | ||||||
НКИ 1.5-4 | КВТ | 11 551 | 5.81 | |||||
НКИ 1.5-4 | KVT |
![]() |
![]() |
|||||
НКИ 1.5-6 | 5 200 | 6.05 | ||||||
НКИ 1.5-6 | КВТ | 9 413 | 8.93 | |||||
НКИ 1.5-6 | KVT | 290 | 6.90 |
|
Корзина
|