| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
18 479
|
47.41
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
|
776
|
41.52
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
|
10
|
207.90
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA7267A |
|
DIP16
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
623
|
28.34
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
2 908
|
33.61
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 590
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ТК24-00-1-110 +/-3% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ТК24-00-1-65+/-6% |
|
|
РАДИОТЕХКОМПЛЕК
|
|
|
|
|
|
|
ТК24-00-1-65+/-6% |
|
|
РАДИОТЕХКОМПЛЕКТ
|
|
|
|
|
|
|
ТК24-00-1-65+/-6% |
|
|
РТК
|
|
|
|
Версия для печати
