|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Ток пиковое значение | 125mA |
| Тип входа | Self Oscillating |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
IR2152 (Интерфейсы и соединения) Self-oscillating Half-bridge Driver
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10 UF 63V 105C 511 |
|
|
||||||
|
|
1N5821 (3A 30V) |
|
|
|||||
| 4093BN |
|
|
||||||
| 6Р4П | 351 | 84.00 | ||||||
| 6Р4П | ВИННИЦА | 4 | 73.50 | |||||
| 6Р4П | 1 |
|
|
|||||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|