|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
|
|
480.00
|
|
|
|
IRGS14C40LTRLP |
|
IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040S3S |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040S3S |
|
|
|
|
420.80
|
|
|
|
ISL9V3040S3S |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ISL9V3040S3S |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
AUK
|
|
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
ZHEN
|
|
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
|
|
15.20
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCL-28 (2.54MM) |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
520
|
278.96
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|