| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
239 498
|
2.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 459
|
2.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 462 531
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
73 479
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 501 806
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
473 383
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
520
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
171 620
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 360
|
33.06
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
|
1 568
|
16.71
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
UMW
|
51
|
16.32
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
YOUTAI
|
2 724
|
13.59
|
|
|
|
L7815CV |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
695
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
6 220
|
7.23
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
13.02
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 381
|
5.25
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
65 383
|
3.78
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
29 814
|
4.12
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
123 360
|
1.88
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
MOTOROLA
|
52
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
|
16
|
102.06
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
JSMSEMI
|
1
|
33.12
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
120
|
53.88
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
10
|
55.80
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|