| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
41 796
|
2.25
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 504
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
430
|
2.95
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
52 036
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
1.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
8 073
|
1.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.00
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
233 305
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
20
|
1.57
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
74 389
|
2.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
60 054
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
64
|
1.22
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
7 012
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
49 364
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
59 368
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
1 097
|
1.41
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
57
|
2.29
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
39 440
|
1.03
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
77 720
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
|
8
|
900.89
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
ALTERA
|
1 144
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
INTEL
|
|
|
|
|
|
EPM570T100C5N |
|
Микросхема MAX II 5нс CPLD 570 LE
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
12
|
22.68
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
2 700
|
2.37
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
JSMICRO
|
50 604
|
1.64
|
|
|
|
IRLML2402TR |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
YOUTAI
|
61 381
|
2.31
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
|
1 264
|
41.08
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NSC
|
8
|
238.14
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
188
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
YOUTAI
|
891
|
25.31
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
UMW
|
336
|
55.79
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
FULIHAO TECH
|
52
|
48.56
|
|
|
|
|
LM2575S-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
389
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
|
|
404.00
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
248
|
|
|