IRLU120N
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR120N 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRLU120N
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.125-68 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-68 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||
| DB-15М ВИЛ. | ZHEN |
|
|
|||||
| PSW 65-28B-3 | JIE |
|
|
|||||
| PSW 65-28B-3 | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
КДС111Б | 3 771 | 7.56 | |||||
|
|
КДС111Б | ХЕРСОН | 262 | 6.30 | ||||
|
|
КДС111Б | RUS |
|
|
||||
|
|
КДС111Б | ДНЕПР | 624 | 53.73 | ||||
 |
 |
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | AUK |
|
|
|
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | ZHEN |
|
|
|
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик |
|
39.20 | ||
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | KLS |
|
|
|
|
|
|
КОЖУХ DP-15C COVER |
|
Корпус к разъему DP-15 пластик | CONNFLY |
|
|
