IRLU2905
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR2905 (N-канальные транзисторные модули) 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRLU2905
Производитель:
|
