Версия для печати
Технические характеристики IRF5210

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2700pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF5210S (P-канальные транзисторные модули) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5210S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF5210 datasheet 188.6Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		7808 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +8V 1.0A 4% 0..+125C			40.28
		7808 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +8V 1.0A 4% 0..+125C	МАРОККО
		7808 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +8V 1.0A 4% 0..+125C	4-7 НЕДЕЛЬ	24
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	DC COMPONENTS	10 245	10.67
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	MIC
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1		324	3.48
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Diodes Inc
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Micro Commercial Co
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRON
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	КИТАЙ
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRONICS
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YJ	15 200	7.23
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	HOTTECH	800	6.20
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE (YJ)
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	SEP	160	4.11
		IRF8010		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF8010		Hexfet power mosfets discrete n-channel
		IRF8010		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF8010		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	75.60
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W			105.20
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	МЕКСИКА
		IRFZ44E		Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INFINEON
		VR37000001505JR500			Vishay/BC Components
		VR37000001505JR500

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"