Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44E

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	48A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1360pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFZ44E (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFZ44E datasheet 150.7 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс			112.80
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ФИЛИППИНЫ
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	NSC
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...			73.08
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR	10
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117IDT-ADJ		Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop`` (, Vin,В =20V, Vout,В =1.2513.8V,, Iout ...	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRONICS	624	257.29
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	STMicroelectronics
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	ST MICROELECTRO
		VN5016AJTR-E		Интеллектуальный ключ	4-7 НЕДЕЛЬ	301
		КТ848А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...		1	240.50
		КТ848А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...	ЭЛЬТАВ
		КТ848А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...	ФРЯЗИНО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"