![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 266pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HJR-3FF-12VDC-S-Z | TIANBO | 6 109 | 60.42 | |||||
HJR-3FF-12VDC-S-Z |
![]() |
![]() |
||||||
LM224ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM224ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM224ADR |
![]() |
![]() |
||||||
LM224ADR | TEXAS | 1 645 | 14.01 | |||||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 11 692 | 10.24 | |||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
![]() |
25.88 | ||||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 58 884 | 6.07 | |||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
![]() |
![]() |
|||
PBD-20 | BM |
![]() |
![]() |
|||||
PBD-20 | 2 506 | 10.50 | ||||||
PBD-20 | CONNFLY |
![]() |
![]() |
|||||
PBD-20 | KLS | 5 541 | 8.62 | |||||
PBD-20 | NXU |
![]() |
![]() |
|||||
PBD-20 | КИТАЙ | 80 | 22.68 | |||||
PBD-20 | CHINA |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
RLB0914-101KL |
![]() |
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm | BOURNS | 4 550 | 22.51 | |
![]() |
![]() |
RLB0914-101KL |
![]() |
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm |
![]() |
70.00 | ||
![]() |
![]() |
RLB0914-101KL |
![]() |
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm | Bourns Inc |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|