Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	8 780	4.72
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 739	8.57
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		28 000	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	456	1.76
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.18
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	1 756	1.59
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
		TA7291SG			TOSHIBA
		TA7291SG			TOS	51	164.66
		TA7291SG
		TA7291SG			4-7 НЕДЕЛЬ	268
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS	7 356	31.50
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)		3 231	16.71
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTR
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS	1 220	24.61
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	FSC
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMEN
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	196
		V275LA20AP			LITTELFUSE	1 728
		V275LA20AP			Littelfuse Inc
		V275LA20AP			LTL
		V275LA20AP
		V275LA20AP			LITTELFUSE	6 365	25.34

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"