Версия для печати
Технические характеристики V275LA20AP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LA
Varistor Voltage	473V
Current-Surge	4.5kA
Число каналов	1
Maximum AC Volts	275VAC
Maximum DC Volts	369VDC
Energy	75J
Корпус (размер)	Disc 14mm

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Варисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 296	4.72
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 898	8.42
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	480	1.75
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	PHILIPS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	MOTOROLA
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ON SEMICONDUCTOR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SGS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SIGNETICS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTRONICS	37 120	9.15
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	MOTOROLA	17
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ON SEMICONDUCTOR	174
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	PHILIPS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SGS THOMSON
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SIGNETICS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS INSTRUMENTS	160
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	STMicroelectronics
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	МАЛАЙЗИЯ
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTRONICS SEMI	12 422
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В		4	20.52
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	4-7 НЕДЕЛЬ	187
		LM431ACZX			FAIR
		LM431ACZX			FAIRCHILD
		LM431ACZX			FAIRCHILD
		LM431ACZX			Fairchild Semiconductor
		LM431ACZX
		LM431ACZX			ONS	1 812	24.10
		LM431ACZX			4-7 НЕДЕЛЬ	148
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
		TDA16846P			INFINEON
		TDA16846P				1	279.72
		TDA16846P			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"