Версия для печати
Технические характеристики LT1013CP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	0.4 V/µs
Полоса пропускания	1MHz
Ток - входного смещения	15nA
Напряжение входного смещения	60µV
Ток выходной	350µA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	9 020	4.77
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 699	8.71
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		28 800	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	440	1.78
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	2 336	1.68
		L6560			ST MICROELECTRONICS
		L6560			SGS
		L6560
		L6560			SGS THOMSON
		L6560
		L6560			4-7 НЕДЕЛЬ	714
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	PHILIPS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	MOTOROLA
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ON SEMICONDUCTOR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SGS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SIGNETICS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTRONICS	37 120	8.73
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	MOTOROLA	17
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ON SEMICONDUCTOR	174
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	PHILIPS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SGS THOMSON
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	SIGNETICS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS INSTRUMENTS	160
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	STMicroelectronics
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	МАЛАЙЗИЯ
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTR
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	ST MICROELECTRONICS SEMI	12 422
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	TEXAS
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В		4	20.52
		LM2904D		Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В	4-7 НЕДЕЛЬ	187
		LM431ACZX			FAIR
		LM431ACZX			FAIRCHILD
		LM431ACZX			FAIRCHILD
		LM431ACZX			Fairchild Semiconductor
		LM431ACZX
		LM431ACZX			ONS	1 570	24.39
		LM431ACZX			4-7 НЕДЕЛЬ	148
		MC14093BDR2G			ON SEMICONDUCTOR
		MC14093BDR2G			ONS	10 683	15.32
		MC14093BDR2G
		MC14093BDR2G			ON SEMICONDUCTOR
		MC14093BDR2G			4-7 НЕДЕЛЬ	427

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"