Версия для печати
Технические характеристики LA4108

Количество каналов	2
Выходная мощность, Вт	2x5.3
Напряжение питания, В	9...18
Тип корпуса	SDIP20
Напряжение на нагрузке, В	8
Сопротивление нагрузки, Ом	4
Вид напряжения питания	однополярное

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007 (1A 1000V)
		1N4007 T/B			DC COMPONENTS	94 804	1.44
		1N4007 T/B			MIC
		1N4007 T/B
		FR107 T/B		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	11 800	1.72  >100 шт.   0.86
		FR107 T/B		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	927	77.05
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet		228	94.66
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	КИТАЙ
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK90ZFP		N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS	80	82.57
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRO
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm		810	72.17
		STP7NK80ZFP		Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"