IRFIBF30G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFIBF30G		424.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFIBF30G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIBF30G (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=1.9a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFIBF30G datasheet
170.74Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
1N4007 T/B		DC COMPONENTS	56 424	2.50
1N4007 T/B		MIC
1N4007 T/B
FR107 T/B	Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	11 624	1.85
FR107 T/B	Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
FR157 (1.5A 1000V)
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	911	141.73
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet		228	94.66
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	КИТАЙ
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK90ZFP	N-channel 900v - 1.56? - 5.8a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO