IRFIBF30G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFIBF30G		424.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFIBF30G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIBF30G (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=1.9a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFIBF30G datasheet
170.74Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CBB-81 2200PF 2000 V 10%			49	18.15
GP10M		TAIWAN SEMICONDUCTOR
GP10M		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
GP10M
STP7NK80ZFP	Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS
STP7NK80ZFP	Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP7NK80ZFP	Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	ST MICROELECTRO
STP7NK80ZFP	Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm		386	62.12
STP7NK80ZFP	Транзистор 800В, 5,2А, 125Вт, ТО-223, Rds On (Max) 1.8 Ohm	4-7 НЕДЕЛЬ	60
TCET1103G		VISHAY
TCET1103G		VISHAY
TCET1103G
TCET1103G		1
Y5P-680ПФ 2К (10%)